台积电:2018年用450毫米晶圆量产10nm

驱动之家 发表于:12年09月06日 16:00 [转载] 驱动之家

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[导读]台积电300毫米晶圆厂运营副总裁JK Wang在台湾国际半导体展(SEMICON Taiwan)的展前记者会上透露,台积电计划在2016-2017年开始450毫米(18英寸)大晶圆的试产,然后在2018年投入量产。

台积电300毫米晶圆厂运营副总裁JK Wang在台湾国际半导体展(SEMICON Taiwan)的展前记者会上透露,台积电计划在2016-2017年开始450毫米(18英寸)大晶圆的试产,然后在2018年投入量产。

台积电原计划2015年投产450毫米晶圆,现在看来要被迫延迟一段时间,届时所对应的制造工艺将是10nm FinFET。台积电会在16nm工艺上第一次引入FinFET技术,时间大约是2015年。

台积电准备2013-2014年间做好450毫米晶圆试产工具的准备工作,但至于具体在哪里建厂还在评估中,不过至少最近在台中科技园新建的Fab 15会兼容450毫米晶圆。

另外,台积电日前宣布其28nm工艺的良品率已经超过了80%。

台积电:2018年用450毫米晶圆量产10nm

JK Wang

[责任编辑:王光]
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