美光(Micron)本周一表示，DDR4内存将在明年面市，目前美光已经开始出货下一代DDR内存样品。

新的DDR4内存比现有的DDR3更加节能且速度更快，在计算机内部的数据交换速度更高。

新一代DDR内存将率先被用于服务器和台式机中，然后是笔记本电脑。美光公司表示，希望DDR内存还将用于平板等便携式设备中，这些设备目前采用低功耗的DDR3和DDR2内存。

DDR4内存预计功耗更低，相比DDR3的1.5瓦来说，它的功耗起点是1.2瓦。而且DDR4的数据传输率更快，总线速度起点为2133MHz，更高的吞吐量帮助提升应用性能并将数据信息更快地传输至存储中。

内存表示制定组织JEDEC(联合电子设备工程委员会)预计将在今年年中最终完成DDR4规范。美光发表声明称，预计将从今年年底开始量产DDR4内存。

首个DDR DRAM部件是由美光和内存制造商Nanya Technology合作开发的，更多部将陆续发布，最终达到JEDEC提出的每秒3.2gig传输速度。

未来美光还将提供具有标准功能和纠错功能的DDR4内存。