三星电子本周四表示，已经开始使用50纳米电路工艺技术开发第一个4GB DDR3 PC内存芯片，三星电子表示，新的技术能够在提供了更强大的容量之外，同时相比现在的DDR3产品大幅减少能耗。

三星电子的目标是制造新一代的“绿色”电脑技术，此次其使用了16GB双列直插内存模块，或称RDIMM，以面向服务器市场，而针对工作站和台式机的型号则采用8GB无缓冲DIMM内存来构建，8GB的小型DIMM模块责备用来生产面向笔记本电脑的产品。

DDR3作为一种DRAM技术，在多个方面具有超越原有DDR2产品的优势，其主要优点之一，就是其能够提供超过前一代产品8倍的数据输入输出速率，同时能耗却降低了30%。

“我们正在利用我们的力量来创新发展第一个4GB的DDR3内存，从而成为领先业界的最高密度的DRAM。”三星半导体公司技术营销副总裁Kevin Lee在一份声明中表示。

三星公司表示，新产品将使用双芯片封装技术，将封装两个16GB模块到一个双芯片封装的产品中，最高达到32GB的，这使得其提供了比以往密度高两倍的能力。

三星利用其新技术，是其工作在1.35伏特的电压下，最大速度为1.6Gbps，一个16GB模块，要比原有的2GB DDR3模块少使用40%的电能，这完全得益于新的高密度的50纳米技术工艺的使用。

三星正在计划将其所有DRAM产品转向50纳米工艺，该公司在去年9月首先发不了50纳米工艺的2GB DDR3内存，并同时提供1GB的版本供用户使用。

根据市场分析公司IDC的预计，个人电脑中使用的DDR3内存的出货量预计将稳步增加，预计到2011年，所占市场份额能够从目前的29%，上升到占全部DRAM市场的72%。

然后，在遭受了市场极度困难的经济衰退，以及个人电脑、消费电子市场的下滑之后，三星本月初公布了第一次季度亏损，原因是销售家电、液晶显示器和内存芯片的业绩下滑。