英特尔和美光开始量产34纳米闪存芯片
Lixuyang 发表于:08年11月26日 00:34 [原创] 存储在线
工艺制程的改进意味着制造商可以缩小晶片组件,这样就可以在同样的大小下获得更多的容量。最新的产品每个核心的容量为4GB,在一层上有8个核心,两层堆叠在一个封装内,总容量为64GB。
这项技术采用标准的48引脚TSOP(Thin Small-Outline Package )封装 ,这是一种进行表面贴装集成电路的封装,可以应用于MP3播放器,移动电话以及其它对存储空间有要求的设备上。
"这种微小的34纳米、32GB的芯片,使我们的客户能够轻松地为消费者和电子产品增加其NAND的存储容量。"美光副总裁Brian Shirley在一份声明中说。
该公司表示,最新的芯片在300毫米的晶圆上进行切割,成品会比指甲盖还小。这一产品目标是数码相机,个人音乐播放器和数码摄像机的制造商。此外,新的技术可用于增加固态硬盘的存储容量。
合作伙伴们没有透露使用34纳米闪存的数码产品何时会投放市场。英特尔与美光则表示,他们期望明年年初会见到更多采用34纳米工艺的产品问世。
库存过剩的内存市场造成了市场价格的下降,这严重削减了制造商的收入。美光上个月表示,它将削减内存芯片的产量并减少15%的劳动力。
美光科技公司还宣布,其同英特尔的合资公司IM Flash设在Boise的工厂将停止生产芯片。今年4月,市场研究机构iSuppli预测,为了提高营收,2008年全球NAND市场将会削减三分之二。主要原因是降低消费开支疲软的影响,是否会进一步下降将会取决于目前的经济衰退的态势。