今天一早，英特尔联手美光发布了一种名为3D XPoint的非易失性存储器技术，其访问速度是NAND 的1000倍，密度提升了10倍。据说，这是25年多以来首款基于全新技术的非易失性存储器（更多详情参见：英特尔联手美光将闪存速度提升1000倍，密度提升10倍），为此两家发明了一种独特的复合材料和存储器交叉点架构设计。据官方透露，新技术将使得很多领域的创新成为可能，比如机，器学习、实时跟踪疾病和身临其境的8K游戏等。
 
        消息一出，随之而来的是各种看不懂。所谓3D XPoint很容易联想到同为3D设计的TLC NAND技术，但3D XPoint显然不是NAND，而是一种新的非易失性存储器技术，一种新的存储介质。

        如今，以NAND技术为核心的闪存技术与传统磁盘之争进行如火如荼，可以说是革命尚未成功，同志也正在努力之中。就在这个当口，谁能够想到会后院失火呢？
 
        实际上，美光也是NAND的生力军，英特尔投资美光，也是看到美光在NAND方面的潜力。如今，3D XPoint技术的推出，难道美光要自绝后路吗？
 
        怎么理解3D XPoint技术？为此，我也请教了闪存技术方面的资深专家，Greenliant亚太营销副总裁李炫辉先生。
 
        据李炫辉先生的分析，从架构设计上看，与FlashTec NVRAM加速卡有些近似，用RAM作为缓存，提高访问速度；用NAND作存储。因此，新的3D XPoint在速度上有优势，同时又具有非易式存储的优点。
 
        FlashTec NVRAM的市场定位是针对内存的市场，而非闪存NAND市场。与NAND相比，3D XPoint的规模经济性还有待观察，另外，3D XPoint大致还处于一个工程化样片的阶段，投入使用还需要控制器等配套，市场还需要实践的积累。
 
        如今，MLC NAND闪存市场已经逐步被企业级用户接受，在数据库加速、VDI等应用领域已经取代磁盘存储，大有广泛推广之势。以3D设计为核心的TLC，以及相关的校验技术，也在加紧研制之中。戴尔存储SC系列阵列已经将基于三阶储存单元(TLC) 的3D NAND技术投放市场。可以预计，随着TLC技术更进一步成熟，闪存市场会有进一步发展。
 
        在这样的背景下，英特尔/美光3D XPoint如果将目标直指闪存应用市场，是剑走偏锋，还是走火入魔，这将是一个非常有趣的话题。如果将市场瞄准内存市场，对于英特尔来说，是不是有脱离主战场的嫌疑呢？从一定程度来说，NAND的经济性从一定程度上，已经开始影响到闪存应用的市场，如今，在内存、闪存之间，提供3D XPoint中间性质产品，会有这样的市场空间吗？
 
        鉴于目前阶段透露的信息有限，更多的分析还属于猜测的性质，更多信息还有待了解，但有一点可以肯定，只要英特尔下定决心做一件事情，那么其能量就不能低估，道理很简单，因为是英特尔！还是一句老话，拭目以待！


对了，中国存储界也有个大事儿，那就是8月5日的中国闪存峰会，地点在北京的亮马河大厦，有不少存储大咖呢！想去看看的话，点击这个链接：2015中国闪存峰会。